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NTMD5836NL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Ch
Min
Typ
Max
Unit
CHARGES, CAPACITANCES & GATE RESISTANCE
Total Gate Charge
Q G(TOT)
V GS = 10V, V DS = 20V, I D = 10A
Ch 1
36
50
nC
V GS = 10 V, V DS = 20 V, I D = 7 A
Ch 2
16
Ch 1
Ch 2
15
8.5
23
11
Threshold Gate Charge
Q G(TH)
Ch 1
Ch 2
2.4
1.0
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q GS
Q GD
V GS = 4.5 V, V DS = 20 V, CH1:
I D = 10 A, CH2: I D = 7 A
Ch 1
Ch 2
Ch 1
6.9
2.8
7.2
Ch 2
4.0
Plateau Voltage
V GP
Ch 1
3.2
V
Ch 2
3.3
Gate Resistance
R G
Ch 1
1.2
W
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 10)
Ch 2
2.1
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
Ch 1
16
ns
Ch 2
11.5
Rise Time
t r
Ch 1
22
Turn ? Off Delay Time
t d(OFF)
V GS = 4.5 V, V DD = 20 V, CH1:
I D = 10 A, CH2: I D = 7 A, R G =
2.5 W
Ch 2
Ch 1
14
26
Ch 2
15.5
Fall Time
t f
Ch 1
Ch 2
8.5
3.5
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
CH1: I D =
10 A, CH2: I D
=7A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
Ch 1
Ch 2
Ch 1
Ch 2
0.9
0.85
0.65
0.73
1.2
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
Ch 1
27
ns
Ch 2
17
Charge Time
T a
Ch 1
14
Discharge Time
T b
V GS = 0 V, dISD/dt = 100 A/ m s,
CH1: I D = 10 A, CH2: I D = 7 A
Ch 2
Ch 1
11
13
Ch 2
6.0
Reverse Recovery Charge
Q RR
Ch 1
19
nC
9. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%
10. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
http://onsemi.com
4
Ch 2
9.0
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